Fabricante Infineon (IRF) Tipo de transístor N-MOSFET Tecnologia HEXFET® Polarização unipolar Tensão dreno-fonte 200V Corrente de dreno 62A Potência 330W Carcaça D2PAK Tensão porta-fonte ±30V Resistência no estado de condução 26mO Montagem SMD Carga da porta 70nC Informação adicional Peso bruto: 1.48 g