- Estilo De Montagem: Através Do Orifício
- Polaridade Do Transistor: Canal N
- Número De Canais: 1 Canal
- Vds - Tensão De Ruptura Da Fonte De Drenagem: 800 V
- Id - Corrente De Drenagem Contínua: 5,4 A
- Rds On - Resistência Da Fonte De Drenagem: 1,5 Ohms
- Vgs - Tensão Da Fonte De Porta: - 25 V, + 25 V
- Temperatura Mínima De Operação: - 65 C
- Temperatura Máxima De Operação: + 150 C
- Pd - Dissipação De Energia: 40 W
- Modo De Canal: Aprimoramento
- Configuração: Single
- Altura: 9,3 Mm
- Comprimento: 10,4 Mm
- Tipo De Transistor: 1 Canal N
- Largura: 4,6 Mm
- Transcondutância Direta - Min: 7 S
- Tempo De Outono: 13 Ns
- Tipo De Produto: Mosfet
- Tempo De Subida: 10 Ns
- Tempo De Atraso Típico Para Ligar: 26 Ns
- Unidade De Peso: 2 G
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