Fabricante Infineon (IRF) Tipo de transistor N-MOSFET Tecnología HEXFET® Polarización unipolar Tensión de fuente de drenaje 200 V Corriente de drenaje 62 A Alimentación 330 W Armazón D2PAK Tensión de fuente de puerto ±30 V Resistencia de estado conductor 26 mO Montaje SMD Carga de puerto 70 nC Información adicional Peso bruto: 1,48 g