- Estilo de montaje: Agujero pasante - Polaridad del transistor: Canal N - Número de canales: 1 canal - Vds - Voltaje disruptivo de la fuente de drenaje: 800 V - Id - Corriente de drenaje continua: 5,4 A - Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje: 1,5 ohmios - Vgs - Voltaje de fuente de puerto: - 25 V, 25 V - Temperatura mínima de funcionamiento: - 65 C - Temperatura máxima de funcionamiento: 150 C - Pd - Disipación de potencia: 40 W - Modo de canal: Mejora - Configuración: Único - Altura: 9,3 mm - Longitud : 10,4 mm - Tipo de transistor: 1 canal N - Ancho: 4,6 mm - Transconductancia directa - Min: 7 S - Tiempo de otoño: 13 Ns - Tipo de producto: Mosfet - Tiempo de subida: 10 Ns - Tiempo de retardo de encendido típico: 26 Ns - Peso unitario: 2 G Los mejores precios en Aquarium Electronics.

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