- Estilo de montaje: Agujero pasante - Polaridad del transistor: Canal N - Configuración: Único - Vgs - Voltaje disruptivo de la fuente de la puerta: - 30 V - Corriente de la fuente de drenaje en Vgs = 0: 500 Ma - Pd - Potencia de disipación: 350 Mw - Transconductancia directa - Min: 0.003 SA 0.0065 S - Peso Unitario: 200 Mg Los mejores precios en Aquário Electrónica.

Transistor Si-Npn Jfet Vhf/Uhf Amp. 30v 25ma